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参数资料
| 型号： | 2SB1404 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 3 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | TO-220FM, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 36K |
| 代理商： | 2SB1404 |
2SB1404
2
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25
°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
–120
V
Collector to emitter voltage
V
CEO
–120
V
Emitter to base voltage
V
EBO
–7
V
Collector current
I
C
–3
A
Collector peak current
I
C(peak)
–6
A
Collector power dissipation
P
C
2W
P
C*
1
25
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
Note:
1. Value at T
C = 25°C.
Electrical Characteristics (Ta = 25
°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base breakdown
voltage
V
(BR)CBO
–120
—
V
I
C = –0.1 mA, IE = 0
Collector to emitter breakdown
voltage
V
(BR)CEO
–120
—
V
I
C = –25 mA, RBE = ∞
Emitter to base breakdown
voltage
V
(BR)EBO
–7
—
V
I
E = –50 mA, IC = 0
Collector cutoff current
I
CBO
—
–10
AV
CB = –100 V, IE = 0
I
CEO
—
–10
V
CE = –100 V, RBE = ∞
DC current transfer ratio
h
FE
1000
—
20000
V
CE = –3 V, IC = –1.5 A*
1
Collector to emitter saturation
voltage
V
CE(sat)1
—
–1.5
V
I
C = –1.5 A, IB = –3 mA*
1
V
CE(sat)2
—
–3.0
I
C = –3 A, IB = –30 mA*
1
Base to emitter saturation
voltage
V
BE(sat)1
—
–2.0
V
I
C = –1.5 A, IB = –3 mA*
1
V
BE(sat)2
—
–3.5
I
C = –3 A, IB = –30 mA*
1
Note:
1. Pulse test.
See switching characteristic curve of 2SB765(K).
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 2SB1443TV2/P | 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1502P | 5 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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