- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录55786 > 2SB1502P (PANASONIC CORP) 5 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SB1502P |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 5 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | TOP3L, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 189K |
| 代理商： | 2SB1502P |
1
Power Transistors
2SB1502
Silicon PNP epitaxial planar type Darlington
For power amplification
Complementary to 2SD2275
s Features
q
Optimum for 55W HiFi output
q
High foward current transfer ratio hFE: 5000 to 30000
q
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat): < 2.5V
s Absolute Maximum Ratings (T
C=25C)
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Collector power
dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
ICP
IC
PC
Tj
Tstg
Ratings
–120
–100
–5
–8
–5
60
3.5
150
–55 to +150
Unit
V
A
W
C
s Electrical Characteristics (T
C=25C)
Parameter
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector to emitter voltage
Forward current transfer ratio
Collector to emitter saturation voltage
Base to emitter saturation voltage
Transition frequency
Turn-on time
Storage time
Fall time
Symbol
ICBO
ICEO
IEBO
VCEO
hFE1
hFE2
*
VCE(sat)
VBE(sat)
fT
ton
tstg
tf
Conditions
VCB = –120V, IE = 0
VCE = –100V, IB = 0
VEB = –5V, IC = 0
IC = –30mA, IB = 0
VCE = –5V, IC = –1A
VCE = –5V, IC = –4A
IC = –4A, IB = –4mA
VCE = –10V, IC = – 0.5A, f = 1MHz
IC = –4A, IB1 = –4mA, IB2 = 4mA,
VCC = –50V
min
–100
2000
5000
typ
20
1.0
0.8
1.0
max
–100
30000
–2.5
–3.0
Unit
A
V
MHz
s
TC=25°C
Ta=25
°C
Unit: mm
Internal Connection
B
C
E
*h
FE2 Rank classification
Rank
Q
S
P
hFE2
5000 to 15000 7000 to 21000 8000 to 30000
1:Base
2:Collector
3:Emitter
TOP–3L Package
20.0
±0.5
6.0
10.0
26.0
±0.5
20.0
±0.5
1.5
2.5
Solder
Dip
10.9
±0.5
123
2.0
±0.3
3.0
±0.3
1.0
±0.2
5.0
±0.3
3.0
4.0
2.0
5.45
±0.3
0.6
±0.2
1.5
2.7
±0.3
1.5
2.0
φ 3.3±0.2
3.0
Ma
int
en
an
ce
/
Dis
co
nti
nu
ed
Maintenance/Discontinued
includes
following
four
Product
lifecy
cle
stage.
planed
maintenance
type
maintenance
type
planed
discontinued
typed
discontinued
type
Please
visit
following
URL
about
latest
information.
http://panasonic.net/sc/en
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1520 | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1554O | 4 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1580T100 | 2000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1587P | 8 A, 150 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1599P | 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SB15040QA | 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 8A MT-3 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB15040RA | 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 8A MT-3 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB1548 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR SUBBING WITH 2SB1548A-P |
| 2SB1548A | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SB1548AP | 功能描述:TRANS PNP LF 80VCEO 3A TO-220D RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。