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参数资料
| 型号： | 2SB1404 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 3 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | TO-220FM, 3 PIN |
| 文件页数： | 6/6页 |
| 文件大小： | 36K |
| 代理商： | 2SB1404 |
2SB1404
6
Hitachi, Ltd.
Semiconductor & IC Div.
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Semiconductor & IC Div.
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Fax: 415-583-4207
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Hitachi Europe Ltd.
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Fax: 27306071
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1414Q | 1 A, 150 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1438Q | 2000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1440G | 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1443TV2/P | 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1502P | 5 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| 2SB1412TLQ | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1412TLR | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1412TRR | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP LOW VCE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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