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参数资料
| 型号： | 2SB1412PTL |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | CPT3, SC-63, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 186K |
| 代理商： | 2SB1412PTL |
1/3
www.rohm.com
○
c
2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2009.12 - Rev.C
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
ROHM : CPT3
EIAJ : SC-63
2SB1412
Denotes hFE
Low frequency transistor (
20V,5A)
2SB1412
Features
Dimensions (Unit : mm)
1) Low VCE(sat).
VCE(sat) =
0.35V (Typ.)
(IC/IB =
4A / 0.1A)
2) Excellent DC current gain characteristics.
3) Complements the 2SD2118.
Structure
Epitaxial planar type
PNP silicon transistor
Absolute maximum ratings (Ta=25
°C)
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power
dissipation
Junction temperature
Storage temperature
1 Single pulse, Pw=10ms
Parameter
VCBO
VCEO
VEBO
PC
Tj
Tstg
30
V
A(DC)
°C
20
6
5
IC
A(Pulse)
10
1
W
1
10
W(Tc
=25
°C)
2SB1412
150
55 to 150
Symbol
Limits
Unit
Electrical characteristics (Ta=25
°C)
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
DC current transfer ratio
Collector-emitter saturation voltage
Output capacitance
Measured using pulse current.
Parameter
Symbol
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
hFE
VCE(sat)
fT
Cob
Min.
30
20
6
82
120
0.35
60
0.5
390
1.0
VIC
= 50
A
IC
= 1mA
IE
= 50
A
VCB
= 20V
VEB
= 5V
VCE
= 2V, IC= 0.5A
IC/IB
= 4A/ 0.1A
VCE
= 6V, IE=50mA, f=100MHz
VCB
= 20V, IE=0A, f=1MHz
V
A
V
MHz
pF
Typ.
Max.
Unit
Conditions
Transition frequency
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PDF描述 |
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参数描述 |
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