- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录30507 > 2SB1438S (PANASONIC CORP) 2000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SB1438S |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | MT2, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 49K |
| 代理商： | 2SB1438S |
2
Transistor
2SB1438
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
Printed circut board: Copper
foil area of 1cm2 or more, and
the board thickness of 1.7mm
for the collector portion.
Ambient temperature Ta (C)
Collector
power
dissipation
P
C
(W
)
0
–10
–8
–2
–6
–4
0
–2.0
–1.6
–1.2
– 0.8
– 0.4
–1.8
–1.4
–1.0
– 0.6
– 0.2
Ta=25C
–2mA
–1mA
–3mA
–4mA
–5mA
–6mA
–7mA
I
B=–8mA
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
Collector
current
I
C
(A
)
– 0.01
– 0.1
–1
–10
– 0.03
– 0.3
–3
– 0.001
– 0.003
– 0.01
– 0.03
– 0.1
– 0.3
–1
–3
–10
I
C/IB=20
Ta=100C
25C
–25C
Collector current I
C
(A)
Collector
to
emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
– 0.01
– 0.1
–1
–10
– 0.03
– 0.3
–3
– 0.01
– 0.03
– 0.1
– 0.3
–1
–3
–10
–30
–100
I
C/IB=20
Ta=–25C
25C
100C
Collector current I
C
(A)
Base
to
emitter
saturation
voltage
V
BE(sat)
(V
)
– 0.01
– 0.1
–1
–10
– 0.03
– 0.3
–3
0
500
400
300
200
100
450
350
250
150
50
V
CE=–2V
Ta=100C
25C
–25C
Collector current I
C
(A)
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
1
3
10
30
100
0
200
160
120
80
40
180
140
100
60
20
V
CB=–10V
Ta=25C
Emitter current I
E
(mA)
Transition
frequency
f
T
(MHz
)
–1
–3
–10
–30
–100
0
240
200
160
120
80
40
I
E=0
f=1MHz
Ta=25C
Collector to base voltage V
CB
(V)
Collector
output
capacitance
C
ob
(pF
)
PC — Ta
IC — VCE
VCE(sat) — IC
VBE(sat) — IC
hFE — IC
fT — IE
Cob — VCB
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1439 | 2 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1448 | 15 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1452 | 7 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1452S | 7 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2201S | 7 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SB14400RL | 功能描述:TRANS PNP LF 50VCEO 2A MINI-PWR RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB1440GRL | 功能描述:TRANS PNP LF 50VCEO 2A MINI-PWR RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB1440-R(TX) | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述: |
| ２ＳＢ１４４３ | 制造商: 功能描述:Bipolar Junction Transistor, PNP Type, SIP |
| 2SB1443TV2P | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。