参数资料
型号: 2SB1492Q
厂商: PANASONIC CORP
元件分类: 功率晶体管
英文描述: 6 A, 110 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封装: TOP3L, 3 PIN
文件页数: 1/4页
文件大小: 193K
代理商: 2SB1492Q
Power Transistors
1
2SB1492
Silicon PNP epitaxial planar type Darlington
For power amplification
Complementary to 2SD2254
I Features
Optimum for 60 W Hi-Fi output
High forward current transfer ratio h
FE: 5 000 to 30 000
Low collector to emitter saturation voltage V
CE(sat): < 2.5 V
I Absolute Maximum Ratings T
C = 25°C
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
TOP-3L Package
Unit: mm
I Electrical Characteristics T
C
= 25°C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector to base voltage
VCBO
130
V
Collector to emitter voltage
VCEO
110
V
Emitter to base voltage
VEBO
5V
Peak collector current
ICP
10
A
Collector current
IC
6A
Collector power
TC = 25°CPC
70
W
dissipation
Ta = 25
°C
3.5
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
55 to +150
°C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector cutoff current
ICBO
VCB =
130 V, I
E = 0
100
A
ICEO
VCE =
110 V, I
B = 0
100
A
Emitter cutoff current
IEBO
VEB = 5 V, IC = 0
100
A
Collector to emitter voltage
VCEO
IC =
30 mA, I
B = 0
110
V
Forward current transfer ratio
hFE1
VCE =
5 V, I
C =
1 A
2 000
hFE2 *
VCE = 5 V, IC = 5 A
5 000
30 000
Collector to emitter saturation voltage
VCE(sat)
IC =
5 A, I
B =
5 mA
2.5
V
Base to emitter saturation voltage
VBE(sat)
IC =
5 A, I
B =
5 mA
3.0
V
Transition frequency
fT
VCE = 10 V, IC = 0.5 A, f = 1 MHz
20
MHz
Turn-on time
ton
IC =
5 A, I
B1 =
5 mA, I
B2 = 5 mA,
0.9
s
Storage time
tstg
VCC =
50 V
2.5
s
Fall time
tf
1.7
s
Internal Connection
20.0±0.5
2.0±0.3
3.0±0.3
1.0±0.2
5.45±0.3
10.9±0.5
123
26.0
±0.5
(10.0)
(2.5)
Solder
Dip
(6.0)
(4.0)
(2.0)
(1.5)
20.0
±0.5
5.0±0.3
φ 3.3±0.2
(1.5)
2.7±0.3
0.6±0.2
(3.0)
(2.0)
B
C
E
Note) *: Rank classification
Rank
Q
P
hFE2
5 000 to 15 000 8 000 to 30 000
Ma
int
en
an
ce
/
Dis
co
nti
nu
ed
Maintenance/Discontinued
includes
following
four
Product
lifecy
cle
stage.
planed
maintenance
type
maintenance
type
planed
discontinued
typed
discontinued
type
Please
visit
following
URL
about
latest
information.
http://panasonic.net/sc/en
相关PDF资料
PDF描述
2SB1494 25 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1498 0.3 A, 600 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1500P 3 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1500Q 3 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1500 3 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
2SB1495(Q) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Semi, Bipolar, Transistor, PNP, Power, D
2SB1495,Q(J 功能描述:TRANS PNP 3A 100V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.5V @ 1.5mA,1.5A 电流 - 集电极截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):2000 @ 2A,2V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:- 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:1
2SB1495,Q(M 功能描述:TRANS PNP 3A 100V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.5V @ 1.5mA,1.5A 电流 - 集电极截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):2000 @ 2A,2V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:- 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:1
2SB15040QA 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 8A MT-3 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SB15040RA 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 8A MT-3 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR