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参数资料
| 型号： | 2SB1492Q |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 6 A, 110 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | TOP3L, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 193K |
| 代理商： | 2SB1492Q |
Power Transistors
3
2SB1492
Rth(t) t
10–3
102
10–2
1
10–1
10
103
104
0.1
1
10
100
1000
Note: R
th was measured at Ta=25C and under natural convection.
(1) P
T=10V × 0.3A (3W) and without heat sink
(2) P
T=10V × 1.0A (10W) and with a 100 × 100 × 2mm Al heat sink
(1)
(2)
Time t (s)
Thermal
resistance
R
th
(t)
(
C/W
)
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2SB15040QA | 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 8A MT-3 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
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