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参数资料
| 型号： | 2SC3647-R |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | PCP, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 45K |
| 代理商： | 2SC3647-R |
No.2006-2/4
2SA1417/2SC3647
Switching Time Test Circuit
Continued from preceding page.
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S
)
0
4
(s
n
0
5s
n
INPUT
50V
50
RL
100
F
470
F
--5V
10IB1=--10IB2=IC=0.7A
(For PNP, the polarity is reversed.)
+
VR
PW=20
s
D.C.
≤1%
RB
IB1
IB2
ITR03542
IC -- VCE
0--2
--1
--4
--3
--5
2
14
35
0
--0.4
--0.8
--1.2
--1.6
--2.0
0
--0.2
--0.6
--0.4
--0.8
--1.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
0.2
0.6
0.4
0.8
1.0
0
ITR03543
IC -- VCE
10
20
30
40
50
0
ITR03545
ITR03544
--40
--30
--50
--10
--20
0
IC -- VCE
--20
mA
--3
0mA
--10mA
--5mA
--3mA
--2mA
--1mA
IB=0
2SA1417
2SC3647
IB=0
IC -- VCE
2SA1417
20mA
30mA
50mA
40mA
10mA
5mA
3mA
2mA
1mA
--6
mA
--5mA
--4mA
--3mA
--2mA
--1mA
IB=0
0.5mA
2.5mA
3.0mA
3.5mA
4.0mA
4.5
mA
5.0
mA
2.0mA
1.5mA
1.0mA
--40
mA
--50
mA
Collector
Current,
I C
–A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC3647-T | 2000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1417-R | 2000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1417-R | 2000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC3647G-S-AB3-R | 2000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC3647L-R-AB3-R | 2000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC3647S-TD-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 2A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC3647T-TD-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 2A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC3648S-TD-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 0.7A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC3648T-TD-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 0.7A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC3649S-TD-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 1.5A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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