参数资料
型号: 2SC3647-R
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 2000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: PCP, 3 PIN
文件页数: 3/4页
文件大小: 45K
代理商: 2SC3647-R
No.2006-3/4
2SA1417/2SC3647
Cob -- VCB
ITR03551
ITR03550
2
0.01
57
73
0.1
25
7
32
3
1.0
--2
--0.01
--0.1
--5 --7
--7
--3
--2
--1.0
--5 --7
--3
--2 --32
0.01
0.1
57
73
2
1.0
57
32
3
10
100
2
3
2
3
5
7
2
1.0
57
73
2
10
57
3
100
10
100
2
3
5
7
3
5
7
--1000
--100
--10
--2
--3
--5
--7
--2
--3
--5
--7
fT -- IC
ITR03549
hFE -- IC
ITR03548
ITR03546
IC -- VBE
--5 --7
--7
--3
--2
--0.01
--0.1
--5 --7
--3
--2
--3
--2
--1.0
--0.8
--0.4
0
--1.2
--1.6
--2.4
--2.0
0.8
0.4
0
1.2
1.6
2.4
2.0
100
1000
5
7
3
2
5
7
3
100
1000
5
7
3
2
5
7
3
57
73
2
0.01
0.1
57
3
23
2
1.0
--0.6
--0.8
0
--0.4
--0.2
--1.0
--1.2
0.6
0.8
0
0.4
0.2
1.0
1.2
ITR03547
2SA1417
VCE=--5V
2SC3647
VCE=5V
IC -- VBE
hFE -- IC
2SA1417
VCE=--5V
2SC3647
VCE=5V
ITR03552
VCE(sat) -- IC
100
10
2
3
5
7
1000
2
3
5
7
ITR03553
VCE(sat) -- IC
2SC3647
IC / IB=10
2SA1417
IC / IB=10
--
25
°C
25
°C
T
a=75
°C
--25
°C
25
°C
Ta=75
°C
--
25
°C
25
°C
T
a=75
°C
--25°C
25°C
Ta=75°C
--25
°C
25°
C
Ta
=75
°C
--25
°C
25°C
Tc=75°C
2SA1417
2SC3647
2SA1417
2SC3647
2SA1417 / 2SC3647
VCE=10V
2SA1417 / 2SC3647
f=1MHz
Collector
Current,
I C
–A
Base-to-Emitter Voltage, VBE –V
Collector
Current,
I C
–A
Base-to-Emitter Voltage, VBE –V
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC –A
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC –A
For PNP, minus sign is omitted.
Gain-Bandwidth
Product,
f T
–M
H
z
Collector Current, IC –A
Output
Capacitance,
Cob
p
F
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Collector Current, IC – A
Collector Current, IC –A
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
m
V
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
m
V
相关PDF资料
PDF描述
2SC3647-T 2000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1417-R 2000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1417-R 2000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC3647G-S-AB3-R 2000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC3647L-R-AB3-R 2000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
2SC3647S-TD-E 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 2A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC3647T-TD-E 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 2A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC3648S-TD-E 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 0.7A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC3648T-TD-E 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 0.7A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC3649S-TD-E 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 1.5A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2