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参数资料
| 型号： | 2SC3835 |
| 厂商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 7 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | TO-3PN, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 120K |
| 代理商： | 2SC3835 |
UTC2SC3835
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
UTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO. LTD
2
QW-R214-002,A
CLASSIFICATION of hFE
RANK
A
B
C
RANGE
70-130
120-170
160-220
Typical Switching Characteristics(Common Emitter)
Vcc
(V)
RL
(Ω)
Ic
(A)
VBB1
(V)
VBB2
(V)
IB1
(A)
IB2
(A)
50
16.7
3
10
-5
0.3
-0.6
VCC
IB2
IB1
R1
R2
0
RL
+VBB1
-VBB2
0
50μs
0
20μs
GND
tON
tstg tf
IB2
IB1
0
IB
IC
0.9IC
0.1IC
IC
D.U.T
ELECTRICAL CHARACTERISTICS CURVES
Ic-VCE
4
01
2
3
1
2
3
4
5
6
7
0
Collector-Emitter Voltage VCE (V)
C
ol
le
cto
rC
urre
nt
,I
c
(A
)
150m
A
60mA
100m
A
40mA
IB=10mA
20mA
200
mA
VCE(sat)-IB
0.005 0.01
0.05 0.1
0.5
1
0
1
2
Base Current, IB (A)
C
ollec
tor
-E
m
itt
er
S
at
ur
ation
V
olt
age,
V
CE
(s
at
)
(V
)
IC
=
1A
3A
5A
2.6
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