参数资料
型号: 2SC3835
厂商: UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
元件分类: 功率晶体管
英文描述: 7 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封装: TO-3PN, 3 PIN
文件页数: 3/4页
文件大小: 120K
代理商: 2SC3835
UTC2SC3835
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
UTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO. LTD
3
QW-R214-002,A
C
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IC-VBE Temperature
Base-Emittor Voltage, VBE (V)
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Collector Current Ic (A)
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Time, t (ms)
2000
20
50
100
300
0.01
0.05 0.1
1
0.5
5
HFE-Ic Temperature
Collector Current Ic (A)
7
VCE=4V
125℃
25℃
-30℃
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