参数资料
型号: 2SC4053
元件分类: 功率晶体管
英文描述: 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封装: TO-220, 3 PIN
文件页数: 12/12页
文件大小: 410K
代理商: 2SC4053
Transient
Thermal
Impedance
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0.1
1
10
2SC4053
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-5
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0.05
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20
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Time
t
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TransientThermal
Impedance
θjc(t)
[
°C/W]
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