参数资料
型号: 2SC4234
元件分类: 功率晶体管
英文描述: 3 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封装: ITO-220, 3 PIN
文件页数: 4/12页
文件大小: 417K
代理商: 2SC4234
0
1
2
3
4
5
6
0
200
400
600
800
1000
1200
2SC4234
IB1 = 0.25IC
IB2 = 0.45A
VBB2 = 5V
Tc < 150
°C
Reverse Bias SOA
Collector-Emitter Voltage VCE [V]
Collector
Current
I
C
[A]
相关PDF资料
PDF描述
2SC458LGB 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SC2310C 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SC5183-T2FB L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5186FB L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5218 UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
2SC4234-7000 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=800 IC=3 HFE=8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC4234-7012 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=800 IC=3 HFE=8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC4234-7100 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=800 IC=3 HFE=8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC4234-7112 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=800 IC=3 HFE=8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC4235 制造商:ISC 制造商全称:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc Silicon NPN Power Transistor