- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录30561 > 2SC4829C RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SC4829C |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | TO-92MOD, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 28K |
| 代理商： | 2SC4829C |
2SC4829
2
Ordering Information
h
FE
2SC4829B
60 to 120
2SC4829C
100 to 200
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
100
V
Collector to emitter voltage
V
CEO
100
V
Emitter to base voltage
V
EBO
3V
Collector current
I
C
0.2
A
Collector peak current
i
C (peak)
0.5
A
Collector power dissipation
P
C
0.9
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base breakdown
voltage
V
(BR)CBO
100
—
V
I
C = 10 A, IE = 0
Collector to emitter breakdown
voltage
V
(BR)CEO
100
—
V
I
C = 1 mA, RBE = ∞
Emitter cutoff current
I
EBO
——
10
AV
EB = 3 V, IC = 0
Collector cutoff current
I
CBO
—
1.0
AV
CB = 80 V, IE = 0
DC current
transfer ratio
2SC4829B
h
FE
60
—
120
V
CE = 10 V, IC = 10 mA
2SC4829C
h
FE
100
—
200
Base to emitter voltage
V
BE
—
1.0
V
CE = 10 V, IC = 10 mA
Collector to emitter saturation
voltage
V
CE(sat)
—
1.0
V
I
C = 100 mA, IB = 10 mA
Gain bandwidth product
f
T
800
1100
—
MHz
V
CE = 10 V, IE = 100 mA
Collector output capacitance
Cob
—
4.2
6.0
pF
V
CB = 30 V, IE = 0, f = 1 MHz
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4829-B | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4834 | 8 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4835R | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4835Q | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4841 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC4833-4000 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=400 IC=5 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4833-7000 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=400 IC=5 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4833-7012 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=400 IC=5 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4833-7100 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=400 IC=5 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4833-7112 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=400 IC=5 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。