参数资料
型号: 2SC4829C
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: TO-92MOD, 3 PIN
文件页数: 3/6页
文件大小: 28K
代理商: 2SC4829C
2SC4829
3
1.6
1.2
0.8
0.4
0
Ambient Temperature Ta (
°C)
Collector
Power
Dissipation
Pc
(W)
50
100
150
200
Maximum Collector Dissipation Curve
50
40
30
20
10
2
Collector to Emitter Voltage
V
(V)
CE
Collector
Current
I
(mA)
C
46
8
10
0
I
= 0
B
50
A
100
A
150
A
200
A
250
A
300
A
350
A
400
A
Typical Output Characteristics
1000
500
200
100
50
20
10
1
10
100
1000
DC
Current
Transfer
Ratio
h
FE
Collector Current
I
(mA)
C
V
= 10 V
Pulse test
CE
Ta = 75
°C
25
°C
–25
°C
DC Current Transfer Ratio
vs. Collector Current
1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1
10
100
1000
Collector
to
Emitter
Saturation
Voltage
CE(sat)
Collector Current
I
(mA)
C
I / I = 10
Pulse test
C
Ta = 75
°C
25
°C
–25
°C
B
V
(V)
Collector to Emitter Saturation
Voltage vs. Collector Current
相关PDF资料
PDF描述
2SC4829-B Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC4834 8 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC4835R UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC4835Q UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC4841 UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
2SC4833-4000 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=400 IC=5 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC4833-7000 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=400 IC=5 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC4833-7012 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=400 IC=5 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC4833-7100 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=400 IC=5 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC4833-7112 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=400 IC=5 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2