- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录49957 > 2SC4965YV-TL-E UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SC4965YV-TL-E |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | CMPAK-3 |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 186K |
| 代理商： | 2SC4965YV-TL-E |
2SC4965
Rev.3.00 Aug 10, 2005 page 2 of 5
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base breakdown voltage
V(BR)CBO
12
—
V
IC = 10
A, IE = 0
Collector cutoff current
ICBO
—
10
A
VCB = 10 V, IE = 0
ICEO
—
1
mA
VCE = 8 V, RBE =
∞
Emitter cutoff current
IEBO
—
10
A
VEB = 3 V, IC = 0
DC current transfer ratio
hFE
100
250
600
VCE = 5 V, IC = 5 mA
Collector to emitter saturation voltage
VCE(sat)
—
150
300
mV
IC = 80 mA, IB = 5 mA
Collector output capacitance
Cob
—
1.9
1.6
pF
VCB = 5 V, IE = 0, f = 1 MHz
On resistance
Ron
—
1.2
—
IB = 2.5 mA, f = 1 kHz
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4977 | 7 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4786 | 5 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4983-7 | 1000 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1881-7 | 1000 mA, 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4986 | 2 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC4978-7061 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=80 IC=3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4978-7071 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=80 IC=3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4978-7100 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=80 IC=3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4978-7101 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=80 IC=3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4979-7061 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=80 IC=5 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。