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参数资料
| 型号： | 2SC4965YV-TL-E |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | CMPAK-3 |
| 文件页数： | 7/7页 |
| 文件大小： | 186K |
| 代理商： | 2SC4965YV-TL-E |
2SC4965
Rev.3.00 Aug 10, 2005 page 5 of 5
Package Dimensions
A
S
M
x
e
A
EHE
L
L1
Q
c
D
b
AA
Pattern of terminal position areas
b2
l1
e1
e
A3
LP
S
A
A2
A1
Reference
Symbol
A
A1
A2
b
b1
c
c1
D
E
e
HE
L
LP
L1
x
b2
e1
l1
Q
0.8
0
0.8
0.25
0.1
1.8
1.15
1.8
0.3
0.1
0.2
0.32
0.25
0.9
0.3
0.13
0.11
2.0
1.25
0.65
2.1
1.5
0.2
1.1
0.1
1.0
0.4
0.15
2.2
1.35
2.4
0.7
0.5
0.6
0.05
0.45
0.9
Dimension in Millimeters
Min
Nom
Max
A3
SC-70
0.006g
MASS[Typ.]
CMPAK / CMPAKV
PTSP0003ZA-A
RENESAS Code
JEITA Package Code
Package Name
b
A-A Section
b1
c1
c
Ordering Information
Part Name
Quantity
Shipping Container
2SC4965YV-TL-E
3000
φ 178 mm Reel, 8 mm Emboss Taping
Note:
For some grades, production may be terminated. Please contact the Renesas sales office to check the state of
production before ordering the product.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4977 | 7 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4786 | 5 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4983-7 | 1000 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1881-7 | 1000 mA, 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4986 | 2 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC4978-7061 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=80 IC=3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4978-7071 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=80 IC=3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4978-7100 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=80 IC=3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4978-7101 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=80 IC=3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4979-7061 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=80 IC=5 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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