参数资料
型号: 2SC5012
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件页数: 15/21页
文件大小: 534K
代理商: 2SC5012
FREQ.
NFOPT
GA
ΓOPT
(MHz)
(dB)
MAG
ANG
Rn/50
500
1.24
9.26
0.73
42
1.70
800
1.67
6.95
0.74
72
1.01
1000
2.18
6.02
0.70
90
0.78
VCE = 2.5 V, IC = 1 mA
500
0.97
13.86
0.66
43
0.46
FREQ.
NFOPT
GA
ΓOPT
(MHz)
(dB)
MAG
ANG
Rn/50
500
1.48
10.23
0.74
43
1.35
800
1.90
10.15
0.72
79
0.92
1000
2.15
9.00
0.69
99
0.60
1500
2.70
4.46
0.66
126
0.38
NE68130
TYPICAL NOISE PARAMETERS (TA = 25
°C)
NE68100
TYPICAL NOISE PARAMETERS (TA = 25
°C)
FREQ.
NFOPT
GA
ΓOPT
(MHz)
(dB)
MAG
ANG
Rn/50
VCE = 8 V, IC = 7 mA
500
1.3
26.42
0.20
91
0.20
1000
1.45
20.54
0.20
148
0.21
2000
2.1
14.41
0.22
178
0.51
4000
3.25
7.76
0.42
-115
0.85
NE68119
TYPICAL NOISE PARAMETERS (TA = 25
°C)
SYMBOLS
PARAMETERS
UNITS
RATINGS
VCBO
Collector to Base Voltage
V
20
VCEO
Collector to Emitter Voltage
V
10
VEBO
Emitter to Base Voltage
V
1.5
IC
Collector Current
mA
65
TJ
Operating Junction
Temperature
°C
1502
TSTG
Storage Temperature
°C
-55 to +1503
Notes:
1. Operation in excess of any one of these parameters may result
in permanent damage.
2. TJ for NE68135 and NE68100 is 200
°C.
3. Maximum storage temperature for the NE68135 is
-65 to +150
°C.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS1 (TA = 25
°C)
VCE = 2.5 V, IC = 3 mA
500
1.00
17.28
0.47
44
0.25
800
1.06
14.35
0.44
83
0.21
1000
1.16
12.69
0.43
100
0.17
1500
1.46
9.50
0.39
130
0.12
2000
1.80
7.70
0.35
177
0.11
2500
2.15
6.03
0.35
-177
0.09
VCE = 8 V, IC = 7mA
500
1.30
20.34
0.29
50
0.27
1000
1.40
13.96
0.25
84
0.18
2000
1.80
8.56
0.25
155
0.16
3000
2.50
5.64
0.48
-167
0.10
4000
3.60
4.50
0.67
-135
0.20
FREQ.
NFOPT
GA
ΓOPT
(MHz)
(dB)
MAG
ANG
Rn/50
1000
1.1
17.33
0.28
71
0.22
2000
1.6
13.60
0.37
160
0.15
4000
3.4
9.25
0.51
-139
0.27
NE68135
TYPICAL NOISE PARAMETERS (TA = 25°C)
VCE = 2.5 V, IC = 0.3 mA
VCE = 2.5 V, IC = 3 mA
VCE = 3 V, IC = 5 mA
800
1.19
9.12
0.59
48
0.35
1000
1.31
10.09
0.56
89
0.30
1500
1.71
7.99
0.50
131
0.16
500
0.92
17.19
0.49
39
0.28
800
1.02
14.23
0.40
68
0.17
1000
1.11
12.78
0.38
87
0.14
1500
1.42
10.30
0.39
134
0.08
2000
1.82
8.24
0.36
165
0.11
500
1.00
19.00
0.37
43
0.20
800
1.10
15.57
0.31
71
0.15
1000
1.19
13.91
0.30
89
0.13
1500
1.40
11.25
0.33
139
0.09
2000
1.70
9.08
0.32
166
0.11
2500
2.05
7.62
0.36
-163
0.13
VCE = 8 V, IC = 7 mA
500
1.10
20.30
0.36
39
0.22
800
1.20
16.82
0.28
64
0.16
1000
1.30
15.10
0.28
81
0.14
1500
1.50
12.35
0.28
130
0.11
2000
1.77
10.21
0.28
158
0.12
2500
2.10
8.85
0.33
-166
0.14
3000
2.40
7.86
0.44
-141
0.16
VCE = 8 V, IC = 7 mA
VCE = 2.5 V, IC = 0.3 mA
VCE = 2.5 V, IC = 1 mA
500
1.10
14.69
0.65
45
0.42
800
1.26
12.73
0.60
80
0.30
1000
1.40
11.29
0.56
99
0.24
1500
1.80
7.40
0.53
123
0.17
2000
2.22
6.14
0.47
166
0.12
2500
2.75
4.89
0.49
-166
0.08
NE681 SERIES
相关PDF资料
PDF描述
2SC4094 UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC3583 L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5011-FB-A UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5011-EB-A UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5011-FB-A UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
2SC5012(NE68118) 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Discrete
2SC5012-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343 制造商:cel 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):10V 频率 - 跃迁:9GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.2dB @ 1GHz 增益:15dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 20mA,8V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):65mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-82A,SOT-343 供应商器件封装:- 标准包装:1
2SC5012-FB(T1) 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SC5012-T1 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD
2SC5012-T1-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343 制造商:cel 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):10V 频率 - 跃迁:9GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.2dB @ 1GHz 增益:15dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 20mA,8V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):65mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-82A,SOT-343 供应商器件封装:SOT-343 标准包装:3,000