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参数资料
型号： 2SC5012
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件页数： 19/21页
文件大小： 534K
代理商： 2SC5012
NE681 SERIES
TYPICAL COMMON EMITTER SCATTERING PARAMETERS
Coordinates in Ohms
Frequency in GHz
(VCE = 2.5 V, IC = 3 mA)
NE68119
50
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-6.1
1.283
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7.0
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-102.9
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-139.2
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-13.0
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VCE = 2.5 V, IC = 0.3 mA
FREQUENCY
S11
S21
S12
S22
KMAG1
(MHz)
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
(dB)
VCE = 2.5 V, IC = 1.0 mA
VCE = 2.5 V, IC = 3 mA
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5 GHz
S21
S21
0.5 GHz
S12
5 GHz
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PDF描述
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2SC5012(NE68118) 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Discrete
2SC5012-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343 制造商:cel 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:10V 频率 - 跃迁:9GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz 增益:15dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 20mA，8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:65mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-82A，SOT-343 供应商器件封装:- 标准包装:1
2SC5012-FB(T1) 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SC5012-T1 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD
2SC5012-T1-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343 制造商:cel 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:10V 频率 - 跃迁:9GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz 增益:15dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 20mA，8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:65mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-82A，SOT-343 供应商器件封装:SOT-343 标准包装:3,000
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