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参数资料
| 型号： | 2SC5226-4 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | MCP, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 74K |
| 代理商： | 2SC5226-4 |
2SK2568
Silicon N-Channel MOS FET
ADE-208-1363A (Z)
2nd. Edition
Mar. 2001
Application
High speed power switching
Features
Low on-resistance
High speed switching
Low drive current
Suitable for switching regulator and DC-DC converter
Outline
1
2
3
TO-3P
1. Gate
2. Drain
(Flange)
3. Source
D
G
S
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 2SC5258O | RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2SC5226-5 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 70MA I(C) | SOT-323 |
| 2SC5226A | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:VHF to UHF Wide-Band Low-Noise Amplifier Applications |
| 2SC5226A_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:VHF to UHF Wide-Band Low-Noise Amplifi er Applications |
| 2SC5226A-4-TL-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT VHF TO UHF WIDEBAND AMPLIFIER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5226A-5-TL-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT VHF TO UHF WIDEBAND AMPLIFIER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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