参数资料
型号: 2SC5245A
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: MCP, 3 PIN
文件页数: 5/6页
文件大小: 58K
代理商: 2SC5245A
2SC5245A
No. A1074-5/6
S Parameters (Common emitter)
VCE=5V, IC=5mA, ZO=50Ω
Freq(MHz)
S11
∠S11
S21
∠S21
S12
∠S12
S22
∠S22
200
0.763
--37.5
11.926
146.9
0.036
70.7
0.892
--19.1
400
0.590
--65.4
9.202
124.3
0.058
60.9
0.740
--29.1
600
0.456
--85.5
7.173
109.4
0.073
57.4
0.631
--33.7
800
0.374
--102.0
5.743
98.7
0.086
56.7
0.566
--35.8
1000
0.323
--115.0
4.785
90.5
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56.7
0.528
--37.2
1200
0.288
--127.5
4.105
83.6
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57.2
0.505
--38.4
1400
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--137.7
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57.7
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--39.6
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--147.4
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71.3
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57.6
0.476
--41.2
1800
0.239
--156.9
2.905
66.4
0.150
57.6
0.466
--43.3
2000
0.235
--165.7
2.651
61.3
0.165
57.2
0.462
--45.4
VCE=5V, IC=10mA, ZO=50Ω
Freq(MHz)
S11
∠S11
S21
∠S21
S12
∠S12
S22
∠S22
200
0.605
--52.6
16.354
136.2
0.031
67.5
0.804
--23.9
400
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--84.6
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113.3
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62.4
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--30.5
600
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--106.3
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100.5
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62.2
0.533
--32.0
800
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--124.6
6.250
91.3
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63.4
0.491
--32.4
1000
0.238
--136.5
5.115
84.7
0.090
64.3
0.469
--33.2
1200
0.225
--148.9
4.336
78.8
0.104
64.4
0.458
--34.6
1400
0.215
--158.3
3.813
73.4
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64.5
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--35.8
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--167.3
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68.1
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--37.7
1800
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63.5
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63.1
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--39.6
2000
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--177.5
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0.166
62.5
0.438
--41.9
VCE=2V, IC=3mA, ZO=50Ω
Freq(MHz)
S11
∠S11
S21
∠S21
S12
∠S12
S22
∠S22
200
0.842
--30.7
8.491
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--17.1
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--56.3
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60.9
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--28.8
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--76.1
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--36.2
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--93.1
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104.2
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51.0
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--40.6
1000
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--106.3
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0.121
49.3
0.564
--43.5
1200
0.376
--119.6
3.597
87.1
0.132
48.7
0.526
--45.8
1400
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--130.2
3.212
80.2
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48.6
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--47.5
1600
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--140.5
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48.6
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--51.6
2000
0.298
--160.0
2.383
62.1
0.179
48.9
0.451
--52.9
VCE=1V, IC=1mA, ZO=50Ω
Freq(MHz)
S11
∠S11
S21
∠S21
S12
∠S12
S22
∠S22
200
0.945
--18.9
3.296
162.5
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77.2
0.980
--11.0
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--37.3
3.206
145.9
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--20.5
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--53.6
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131.2
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--29.0
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--69.4
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--35.5
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--45.7
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--106.1
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88.1
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0.673
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1600
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2000
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--137.9
1.658
65.2
0.217
27.6
0.592
--59.9
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PDF描述
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2SC5258O RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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参数描述
2SC5245A_12 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:UHF to S-Band Low-Noise Amplifier OSC Applications
2SC5245A-4-TL-E 功能描述:两极晶体管 - BJT HIGH-FREQUENCY AMPLIFIER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
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