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参数资料
| 型号： | 2SC5361 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 3 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | 2-10S1A, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 142K |
| 代理商： | 2SC5361 |
2SC5361
2004-07-26
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type
2SC5361
High-Voltage Switching Applications
Switching Regulator Applications
DC-DC Converter Applications
Excellent switching times: tf = 0.5 s (max) (IC = 1.2 A)
High breakdown voltage: VCEO = 800 V
High DC current gain: hFE = 15 (min) (IC = 0.15 A)
Maximum Ratings (Tc = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
900
V
Collector-emitter voltage
VCEO
800
V
Emitter-base voltage
VEBO
7
V
DC
IC
3
Collector current
Pulse
ICP
5
A
Base current
IB
1
A
Ta = 25°C
1.5
Collector power
dissipation
Tc = 25°C
PC
40
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-10S1A
Weight: 1.5 g (typ.)
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PDF描述 |
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