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参数资料
| 型号： | 2SC5361 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 3 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | 2-10S1A, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 142K |
| 代理商： | 2SC5361 |
2SC5361
2004-07-26
3
Collector-emitter voltage VCE (V)
IC – VCE
Co
lle
ct
or
cu
rr
en
t
I
C
(
A
)
hFE – IC
D
C
c
urr
en
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ai
n
h
FE
Collector current IC (A)
VBE (sat) – IC
Ba
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emi
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tu
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v
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e
V
BE
(
sa
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(
V
)
VCE (sat) – IC
C
ollec
tor
-e
mi
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rati
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vo
ltag
e
V
CE
(s
at
)
(V
)
Collector current IC (A)
Base-emitter voltage VBE (V)
IC – VBE
C
ollect
or
c
urre
nt
I C
(
A
)
Collector current IC (A)
Switching Characteristics
Switc
h
in
g
tim
e
(
s)
3
2
1
0
4
6
8
2
0
10
IB = 0.02 A
Common emitter
Tc = 25°C
0.1
0.05
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.8
1.0
Common emitter
VCE = 5 V
Tc = 100°C
55
3
2
1
0
0.2
0.8
0
1.2
0.4
0.6
1.0
1.4
25
Tc = 100°C
55
25
Common emitter
VCE = 5 V
0.001
0.01
10
1000
1
100
10
0.1
1
0.1
0.05
Common emitter
IC/IB = 5
0.01
10
Tc = 100°C
55
25
1
0.1
1
0.1
0.01
0.1
10
1
IC = 5IB1,
2IB1 = IB2,
Pulse width
= 20 s
Duty cycle
≤ 1%
Tc = 25°C
10
tf
tstg
tr
1
0.1
0.01
0.1
10
1
Common emitter
IC/IB = 5
10
Tc = 100°C
55
25
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