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参数资料
| 型号： | 2SC5361 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 3 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | 2-10S1A, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 142K |
| 代理商： | 2SC5361 |
2SC5361
2004-07-26
2
Electrical Characteristics (Tc = 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cut-off current
ICBO
VCB = 720 V, IE = 0
―
100
A
Emitter cut-off current
IEBO
VEB = 7 V, IC = 0
―
10
mA
Collector-base breakdown voltage
V (BR) CBO
IC = 1 mA, IE = 0
900
―
V
Collector-emitter breakdown voltage
V (BR) CEO
IC = 10 mA, IB = 0
800
―
V
hFE (1)
VCE = 5 V, IC = 1 mA
10
―
DC current gain
hFE (2)
VCE = 5 V, IC = 0.15 A
15
―
Collector-emitter saturation voltage
VCE (sat)
IC = 1.2 A, IB = 0.24 A
―
1.0
V
Base-emitter saturation voltage
VBE (sat)
IC = 1.2 A, IB = 0.24 A
―
1.3
V
Rise time
tr
―
0.7
Storage time
tstg
―
4.0
Switching time
Fall time
tf
IB1 = 0.24 A, IB2 = 0.48 A,
duty cycle ≤ 1%
―
0.5
s
Marking
I B1
20 s
VCC ≈ 360 V
Output
300
IB2
IB1
Input
I B2
IC
Lot No.
A line indicates
lead (Pb)-free package or
lead (Pb)-free finish.
C5361
Part No. (or abbreviation code)
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