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参数资料
| 型号： | 2SC5507-T2FB |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | THIN, SUPER MINIMOLD, M04, 4 PIN |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 76K |
| 代理商： | 2SC5507-T2FB |
Data Sheet PU10522EJ01V0DS
2
2SC5507
THERMAL RESISTANCE
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Junction to Case Resistance
Rth j-c
240
°C/W
Junction to Ambient Resistance
Rth j-a
650
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25
°C)
Parameter
Symbol
Test Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
DC Characteristics
Collector Cut-off Current
ICBO
VCB = 5 V, IE = 0 mA
100
nA
Emitter Cut-off Current
IEBO
VEB = 1 V, IC = 0 mA
100
nA
DC Current Gain
hFE
Note 1
VCE = 2 V, IC = 5 mA
50
70
100
RF Characteristics
Gain Bandwidth Product
fT
VCE = 3 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz
20
25
GHz
Insertion Power Gain
S21e2
VCE = 2 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz
14
17
dB
Noise Figure
NF
VCE = 2 V, IC = 2 mA, f = 2 GHz,
ZS = Zopt
–
1.2
1.5
dB
Reverse Transfer Capacitance
Cre
Note 2
VCB = 2 V, IE = 0 mA, f = 1 MHz
0.08
0.12
pF
Maximum Stable Power Gain
MSG
Note 3
VCE = 2 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz
22
dB
Gain 1 dB Compression Output Power
PO (1 dB)
VCE = 2 V, IC = 5 mA
Note 4, f = 2 GHz
5
dBm
3rd Order Intermodulation Distortion
Output Intercept Point
OIP3
VCE = 2 V, IC = 5 mA
Note 4, f = 2 GHz
15
dBm
Notes 1. Pulse measurement: PW
≤ 350
s, Duty Cycle ≤ 2%
2. Collector to base capacitance when the emitter grounded
3. MSG =
4. Collector current when PO (1 dB) is output
hFE CLASSIFICATION
Rank
FB
Marking
T78
hFE Value
50 to 100
S21
S12
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5509-T2FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5509-FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5509 | X BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5511E | 1.5 A, 160 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC5541 | S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC5508-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:3.3V 频率 - 跃迁:25GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 2GHz 增益:19dB 功率 - 最大值:115mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 5mA，2V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:35mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-343F 供应商器件封装:- 标准包装:1 |
| 2SC5508-T2-A | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Trans GP BJT NPN 3.3V 0.035A 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR BIPOLAR/HBT 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:RF Transistor, NPN,3.3V,35mA,S-MiniMold4 制造商:Renesas 功能描述:Trans GP BJT NPN 3.3V 0.035A 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R |
| 2SC5508-T2-A(FB) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:NPN |
| 2SC5509-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:3.3V 频率 - 跃迁:15GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:190mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA，2V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-343F 供应商器件封装:- 标准包装:1 |
| 2SC5509-T2-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:3.3V 频率 - 跃迁:15GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:190mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA，2V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-343F 供应商器件封装:SOT-343 标准包装:1 |
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