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参数资料
| 型号： | 2SC5507-T2FB |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | THIN, SUPER MINIMOLD, M04, 4 PIN |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 76K |
| 代理商： | 2SC5507-T2FB |
Data Sheet PU10522EJ01V0DS
5
2SC5507
Noise Characteristics
Collector Current IC (mA)
6
5
4
3
2
1
0
Collector Current IC (mA)
Noise
Figure
NF
(dB)
Associated
Gain
G
a(dB)
Associated
Gain
G
a(dB)
Noise
Figure
NF
(dB)
1
10
100
6
5
4
3
2
1
0
30
25
20
15
10
5
0
1
10
100
1
10
100
1
10
100
Ga
f = 2.5 GHz
VCE = 2 V
NF
Ga
f = 1.5 GHz
VCE = 2 V
NF
30
25
20
15
10
5
0
6
5
4
3
2
1
0
Noise
Figure
NF
(dB)
Associated
Gain
G
a(dB)
Associated
Gain
G
a(dB)
Noise
Figure
NF
(dB)
6
5
4
3
2
1
0
30
25
20
15
10
5
0
30
25
20
15
10
5
0
Ga
f = 2.0 GHz
VCE = 2 V
NF
Ga
f = 1.0 GHz
VCE = 2 V
NF
NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN
vs. COLLECTOR CURRENT
NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN
vs. COLLECTOR CURRENT
NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN
vs. COLLECTOR CURRENT
NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN
vs. COLLECTOR CURRENT
Remark The graphs indicate nominal characteristics.
S-PARAMETERS
S-parameters/Noise parameters are provided on the NEC Compound Semiconductor Devices Web site in a form
(S2P) that enables direct import to a microwave circuit simulator without keyboard input.
Click here to download S-parameters.
[RF and Microwave]
→ [Device Parameters]
URL http://www.ncsd.necel.com/
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5509-T2FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5509-FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5509 | X BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5511E | 1.5 A, 160 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC5541 | S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC5508-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:3.3V 频率 - 跃迁:25GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 2GHz 增益:19dB 功率 - 最大值:115mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 5mA，2V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:35mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-343F 供应商器件封装:- 标准包装:1 |
| 2SC5508-T2-A | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Trans GP BJT NPN 3.3V 0.035A 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR BIPOLAR/HBT 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:RF Transistor, NPN,3.3V,35mA,S-MiniMold4 制造商:Renesas 功能描述:Trans GP BJT NPN 3.3V 0.035A 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R |
| 2SC5508-T2-A(FB) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:NPN |
| 2SC5509-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:3.3V 频率 - 跃迁:15GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:190mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA，2V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-343F 供应商器件封装:- 标准包装:1 |
| 2SC5509-T2-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:3.3V 频率 - 跃迁:15GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:190mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA，2V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-343F 供应商器件封装:SOT-343 标准包装:1 |
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