| 型号: | 2SC5508-FB |
| 元件分类: | 小信号晶体管 |
| 英文描述: | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装: | THIN, SUPER MINIMOLD PACKAGE-4 |
| 文件页数: | 1/12页 |
| 文件大小: | 203K |
| 代理商: | 2SC5508-FB |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5509-T2FB-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5509-FB-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5532B | 5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC5539A | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5576 | 4 A, 70 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC5508-T2-A | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Trans GP BJT NPN 3.3V 0.035A 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR BIPOLAR/HBT 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:RF Transistor, NPN,3.3V,35mA,S-MiniMold4 制造商:Renesas 功能描述:Trans GP BJT NPN 3.3V 0.035A 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R |
| 2SC5508-T2-A(FB) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:NPN |
| 2SC5509-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):3.3V 频率 - 跃迁:15GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:190mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 10mA,2V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-343F 供应商器件封装:- 标准包装:1 |
| 2SC5509-T2-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):3.3V 频率 - 跃迁:15GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:190mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 10mA,2V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-343F 供应商器件封装:SOT-343 标准包装:1 |
| 2SC5509-T2-A-FB | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |