参数资料
型号: 2SC5548A(2-7B1A)
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 2000 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: LEAD FREE, 2-7B1A, 3 PIN
文件页数: 3/5页
文件大小: 184K
代理商: 2SC5548A(2-7B1A)
2SC5548A
2004-07-26
3
Ba
se-
emi
tte
rsa
tu
rati
on
v
oltage
V
BE
(
sa
t)
(
V
)
Collector-emitter voltage VCE (V)
IC – VCE
Co
lle
cto
r
cu
rr
ent
I
C
(
A
)
Collector current IC (A)
hFE – IC
D
C
cu
rre
nt
gai
n
h
FE
Collector current IC (A)
VCE (sat) – IC
C
ollec
tor
-e
mi
tte
rs
atu
rati
on
vo
ltag
e
V
CE
(s
a
t)
(V
)
Collector current IC (A)
VBE (sat) – IC
Base-emitter voltage VBE (V)
IC – VBE
Co
lle
ct
or
cu
rr
en
t
I
C
(
A
)
C
ollec
tor
po
wer
dis
si
pati
on
P
C
(W
)
Ambient temperature Ta (°C)
PC – Ta
40
60
100
0
Common emitter
Tc = 25°C
150
IB = 10 mA
80
20
1.6
1.2
0.4
2
4
6
8
10
0.8
2.0
200
0.01
10
Common emitter
IC/IB = 8
Tc = 100°C
55
25
3
0.3
0.03
0.3
1
10
1
0.1
3
1000
1
0.001
Common emitter
VCE = 5 V
Tc = 100°C
55
25
0.003
0.01
0.03
0.1
0.3
1
300
3
100
30
10
3
10
0.01
Tc = 100°C
25
55
3
0.3
0.1
0.3
3
Common emitter
IC/IB = 8
0.03
1
(1) Tc = Ta
infinite heat sink
(2) No heat sink
0
25
50
75
100
125
150
175
200
4
8
12
16
20
(1)
(2)
0.4
2.0
0
1.6
0.8
1.2
1.6
0.4
0.8
1.2
Common emitter
VCE = 5 V
Tc = 100°C
55
25
0
相关PDF资料
PDF描述
2SC5549 1000 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5550 1 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC5551A Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5554 UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5562 0.8 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
2SC5549(TPE6,F) 制造商:Toshiba 功能描述:NPN 制造商:Toshiba 功能描述:NPN Cut Tape
2SC5549,T6F(J 功能描述:TRANS NPN 1A 400V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):400V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1V @ 25mA,200mA 电流 - 集电极截止(最大值):100μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):20 @ 40mA,5V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:- 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1
2SC5550(Q) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT NPN 400V 1A 3-Pin TO-126IS
2SC5551AE-TD-E 功能描述:两极晶体管 - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC5551AF-TD-E 功能描述:两极晶体管 - BJT DC-DC CONVERTER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2