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参数资料
| 型号： | 2SC5548A(2-7B2A) |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 196K |
| 代理商： | 2SC5548A(2-7B2A) |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5549 | 1000 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SC5551 | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5590 | 16 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC5606-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5606-A-FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC5549(TPE6,F) | 制造商:Toshiba 功能描述:NPN 制造商:Toshiba 功能描述:NPN Cut Tape |
| 2SC5549,T6F(J | 功能描述:TRANS NPN 1A 400V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 25mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 40mA，5V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:- 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 |
| 2SC5550(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT NPN 400V 1A 3-Pin TO-126IS |
| 2SC5551AE-TD-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5551AF-TD-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT DC-DC CONVERTER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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