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参数资料
| 型号： | 2SC5569 |
| 厂商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 7 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | SOT-89, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 170K |
| 代理商： | 2SC5569 |
UTC 2SC5569 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
UTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO. LTD
2
QW-R208-031,A
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNIT
Fall Time
tf
See specified Test Circuit
25
ns
SWITCHING TIME TEST CIRCUIT
50Ω
INPUT
OUTPUT
+
D.C.≦1%
VR
V BE
100μF
IB1
IB2
470μF
VCC = 25V
RB
RL
PW=20μs
= -5V
20I B1= -20IB2=IC =2.5A
C
o
llector
C
u
rrent,
Ic
(A
)
2.0
0
0.8
1.2
1.6
0.4
0
4
5
6
7
2
3
1
10mA
1.0
0.4
0.6
0.8
0.2
0
3
4
5
6
1
2
0
DC
Cu
rr
e
n
tGa
in
,h
FE
Collector Current, Ic (A)
1.0
2
35
2
hFE - Ic
0.01
0.1
5
7
1000
7
3
20mA
30mA
40mA
90mA
70mA
1.2
1.4
7
8
C
o
llector
C
u
rrent,
Ic
(A
)
3 5
27
10
35
27
2
5
7
100
3
10
Collector Current, Ic (A)
1.0
2
3 5
2
0.01
0.1
5
7
100
7
3
35
27
10
35
27
2
5
7
10
3
1.0
2
5
7
1000
3
80mA
60mA
IB=0
50mA
10
0m
A
Collector to Emitter Voltage, VCE (V)
Ic - VCE
25
°C
-2
5°
C
VCE = 2V
Base to Emitter Voltage, V BE (V)
25°C
-25°C
VCE = 2V
IC/IB=20
25
°C
-25°C
C
o
llector-to-E
m
itter
VCE(sat) - Ic
Ic - VBE
T
a=
75
°C
Ta=
75°C
Ta=75°C
S
a
turation
V
o
ltage,
V
C
E
(s
at
)(m
v)
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