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参数资料
| 型号： | 2SC5569 |
| 厂商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 7 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | SOT-89, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 170K |
| 代理商： | 2SC5569 |
UTC 2SC5569 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
UTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO. LTD
3
QW-R208-031,A
Collector Current,Ic -A
1.0
2
3 5
2
0.01
0.1
5
7
1000
7
3
35
27
10
3 5
2
7
2
5
7
100
3
10
2
5
7
10000
3
IC/IB=50
Ta =
75℃
25°C
-25°C
Collector-to-Emitter
S
aturation
V
oltage,
V
CE
(sa
t)
(mV)
VCE(sat) - Ic
Collector Current, Ic (A)
1.0
2
35
2
0.01
0.1
5
7
10000
7
3
3 5
27
10
35
27
2
5
7
1000
3
100
Ta =-25
℃
25°C
75°C
IC/IB=50
Collector-to-Emitter
S
aturation
V
oltage,
V
BE(
sat)
(mv)
1.0
2
5
Cob - VCB
0.1
5
7
3
3 5
27
10
35
27
2
5
7
100
3
f=1MHz
Output
Capacitance,
Cob
(pF)
Collector Current, Ic (A)
1.0
2
fT - Ic
0.1
5
7
1000
7
3
3 5
27
10
35
27
2
5
7
100
3
10
VCE=10V
G
ain-Bandwidth
Produtc,
f
T(MHz)
50.01
73 5
35
2
5
7
10
3
10
2
35
2
0.1
1.0
5
7
1.0
7
3
35
27
100
3 5
2
7
2
5
7
0.1
3
0.01
2
5
7
10
3
A S O
Tc=25°C
Single pulse
For PNP,the minus sign is
omitted.
100ms
ICP=10A
IC=7A
DC
ope
ratio
n
10m
s
1m
s
50
0
μ
s
10
0
μ
s
2
Collector
Current,
Ic
(A)
100
40
60
80
20
0
0.5
1.0
1.3
1.5
0
120 140
2.0
Collector
Dissipation,
P
C
(W
)
Pc - Ta
2
160
VBE(sat) - Ic
Ambient Temperature, Ta(℃)
Collector to Emitter Voltage, V CE(V)
Collector to Base Voltage, VCB (V)
Mou
nted
on
a ce
ram
ic b
oard
(25
0m
m
× 0
.8m
m)
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