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参数资料
| 型号： | 2SC5593 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | CMPAK-4 |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 47K |
| 代理商： | 2SC5593 |
2SC5593
3
Main Characteristics
200
150
100
50
0
50
100
150
200
10
0.1
1
10
12
5
10
20
50
100
0
10
20
30
40
50
100
200
0
1
20
100
Collector
Power
Dissipatio
Pc
(mW)
Ambient Temperature
Ta (
°C)
Collector Power Dissipation Curve
Collector to Base Voltage
V
(V)
CB
Collector
Output
Capacitance
Cob
(pF)
Collector Output Capacitance vs.
Collector to Base Voltage
Collector Current
I
(mA)
C
DC
Current
Transfer
Ratio
h
FE
DC Current Transfet Ratio vs.
Collector Current
I
(mA)
C
Gain
Bandwidth
Prodfuct
f
(GHz)
T
Gain Bandwidth Product vs.
Collector Current
25
50
V
= 3 V
CE
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
0.2
0.5
2
5
I
= 0
f = 1MHz
E
V
= 3 V
CE
2 V
1 V
2 V
1 V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5599-FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SC5606-FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SC5606-FB-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC5606-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-523 制造商:cel 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:3.3V 频率 - 跃迁:21GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:12.5dB 功率 - 最大值:115mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，2V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:35mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-523 供应商器件封装:- 标准包装:1 |
| 2SC5606-FB-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SC5606-T1-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-523 制造商:cel 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:3.3V 频率 - 跃迁:21GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:115mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，2V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:35mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-523 供应商器件封装:SOT-523 标准包装:1 |
| 2SC5606-T1-A-FB | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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