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参数资料
| 型号： | 2SC5593 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | CMPAK-4 |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 47K |
| 代理商： | 2SC5593 |
2SC5593
4
1
5
10
50
100
10
1
10
100
3
5
0
1
20
100
Power
Gain
PG
(dB)
Power Gain vs. Collector Current
S
Parameter
|S
|
(dB)
Collector Current
I
(mA)
C
Noise
Figure
NF
(dB)
Noise Figure vs. Collector Current
25
50
4
8
12
16
20
0
25
20
50
0
4
8
12
16
20
Collector Current
I
(mA)
C
2
20
4
2
1
21
2
S Parameter vs. Collector Current
21
Collector Current
I
(mA)
C
2 V
1 V
f = 1.8GHz
V
= 3 V
CE
V
= 1 to 3 V
CE
f = 1.8GHz
V
= 3 V
CE
2 V
1 V
f = 2GHz
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| 2SC5599-T1FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5606-FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SC5606-FB-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC5606-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-523 制造商:cel 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:3.3V 频率 - 跃迁:21GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:12.5dB 功率 - 最大值:115mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，2V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:35mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-523 供应商器件封装:- 标准包装:1 |
| 2SC5606-FB-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SC5606-T1-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-523 制造商:cel 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:3.3V 频率 - 跃迁:21GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:115mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，2V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:35mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-523 供应商器件封装:SOT-523 标准包装:1 |
| 2SC5606-T1-A-FB | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SC5611 | 制造商:Sony Semiconductor Solutions Division 功能描述: |
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