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参数资料
| 型号： | 2SC5604-FB |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | MINIMOLD PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 12/23页 |
| 文件大小： | 99K |
| 代理商： | 2SC5604-FB |
Data Sheet PU10046EJ02V0DS
2
2SC5604
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25
°°°°C)
Parameter
Symbol
Test Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
DC Characteristics
Collector Cut-off Current
ICBO
VCB = 5 V, IE = 0 mA
–
200
nA
Emitter Cut-off Current
IEBO
VEB = 1 V, IC = 0 mA
–
200
nA
DC Current Gain
hFE
Note 1
VCE = 1 V, IC = 5 mA
60
90
120
–
RF Characteristics
Gain Bandwidth Product
fT
VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz
12.0
13.5
–
GHz
Insertion Power Gain
S21e2 VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz
8.5
10.0
–
dB
Noise Figure
NF
VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz,
ZS = Zopt
–1.3
2.5
dB
Reverse Transfer Capacitance
Cre
Note 2
VCB = 0.5 V, IE = 0 mA, f = 1 MHz
–
0.25
0.5
pF
Notes 1. Pulse measurement: PW
≤ 350
s, Duty Cycle ≤ 2%
2. Collector to base capacitance when the emitter grounded
hFE CLASSIFICATION
Rank
FB
Marking
E5
hFE Value
60 to 120
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC5606-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-523 制造商:cel 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:3.3V 频率 - 跃迁:21GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:12.5dB 功率 - 最大值:115mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，2V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:35mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-523 供应商器件封装:- 标准包装:1 |
| 2SC5606-FB-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SC5606-T1-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-523 制造商:cel 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:3.3V 频率 - 跃迁:21GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:115mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，2V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:35mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-523 供应商器件封装:SOT-523 标准包装:1 |
| 2SC5606-T1-A-FB | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SC5611 | 制造商:Sony Semiconductor Solutions Division 功能描述: |
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