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参数资料
| 型号： | 2SC5604-FB |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | MINIMOLD PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 19/23页 |
| 文件大小： | 99K |
| 代理商： | 2SC5604-FB |
Data Sheet PU10046EJ02V0DS
5
2SC5604
VCE = 1 V
f = 2 GHz
Gain
Bandwidth
Product
f
T
(GHz)
Collector Current IC (mA)
GAIN BANDWIDTH PRODUCT
vs. COLLECTOR CURRENT
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
10
1
100
VCE = 2 V
f = 2 GHz
Gain
Bandwidth
Product
f
T
(GHz)
Collector Current IC (mA)
GAIN BANDWIDTH PRODUCT
vs. COLLECTOR CURRENT
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
10
1
100
VCE = 1 V
IC = 5 mA
Frequency f (GHz)
INSERTION POWER GAIN,
MAG, MSG vs. FREQUENCY
Insertion
Power
Gain
|S
21e
|2
(dB)
Maximum
Available
Power
Gain
MAG
(dB)
Maximum
Stable
Power
Gain
MSG
(dB)
35
25
30
15
20
5
10
0
0.1
1
10
MAG
MSG
|S21e|
2
VCE = 2 V
IC = 5 mA
Frequency f (GHz)
INSERTION POWER GAIN,
MAG, MSG vs. FREQUENCY
Insertion
Power
Gain
|S
21e
|2
(dB)
Maximum
Available
Power
Gain
MAG
(dB)
Maximum
Stable
Power
Gain
MSG
(dB)
35
25
30
15
20
5
10
0
0.1
1
10
MAG
MSG
|S21e|
2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC5606-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-523 制造商:cel 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:3.3V 频率 - 跃迁:21GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:12.5dB 功率 - 最大值:115mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，2V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:35mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-523 供应商器件封装:- 标准包装:1 |
| 2SC5606-FB-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SC5606-T1-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-523 制造商:cel 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:3.3V 频率 - 跃迁:21GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:115mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，2V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:35mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-523 供应商器件封装:SOT-523 标准包装:1 |
| 2SC5606-T1-A-FB | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SC5611 | 制造商:Sony Semiconductor Solutions Division 功能描述: |
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