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参数资料
| 型号： | 2SC5606-A |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | LEAD FREE, 19, 1608, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 9/9页 |
| 文件大小： | 194K |
| 代理商： | 2SC5606-A |
2SJ160, 2SJ161, 2SJ162
7
Package Dimensions
φ3.2
± 0.2
4.8
± 0.2
1.5
0.3
2.8
0.6
± 0.2
1.0
± 0.2
18.0
±0.5
19.9
±0.2
15.6
± 0.3
0.5
1.0
5.0
±0.3
1.6
1.4 Max
2.0
14.9
±0.2
3.6
0.9
1.0
5.45
± 0.5
5.45
± 0.5
Hitachi Code
JEDEC
EIAJ
Mass (reference value)
TO-3P
—
Conforms
5.0 g
As of January, 2001
Unit: mm
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5616-T3FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5616-EB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5617-EB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5617 | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5617-FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC5606-FB-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SC5606-T1-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-523 制造商:cel 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:3.3V 频率 - 跃迁:21GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:115mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，2V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:35mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-523 供应商器件封装:SOT-523 标准包装:1 |
| 2SC5606-T1-A-FB | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SC5611 | 制造商:Sony Semiconductor Solutions Division 功能描述: |
| 2SC5612 | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR |
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