- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录30570 > 2SC5616-EB L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SC5616-EB |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | MINIMOLD PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 126K |
| 代理商： | 2SC5616-EB |
Data Sheet D12355EJ3V0DS
2
2SK2981
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C)
CHARACTERISTICS
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Drain to Source On-state Resistance
RDS(on)1
VGS = 10 V, ID = 10 A
20
27
m
RDS(on)2
VGS = 4.5 V, ID = 10 A
30
40
m
RDS(on)3
VGS = 4 V, ID = 10 A
35
50
m
Gate to Source Cut-off Voltage
VGS(off)
VDS = 10 V, ID = 1 mA
1.0
1.5
2.0
V
Forward Transfer Admittance
| yfs |VDS = 10 V, ID = 10 A
6.0
13.0
S
Drain Leakage Current
IDSS
VDS = 30 V, VGS = 0 V
10
A
Gate to Source Leakage Current
IGSS
VGS = ±20 V, VDS = 0 V
±10
A
Input Capacitance
Ciss
VDS = 10 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz
860
pF
Output Capacitance
Coss
350
pF
Reverse Transfer Capacitance
Crss
160
pF
Turn-on Delay Time
td(on)
ID = 10 A, VGS(on) = 10 V, VDD = 15 V
25
ns
Rise Time
tr
RG = 10
270
ns
Turn-off Delay Time
td(off)
65
ns
Fall Time
tf
65
ns
Total Gate Charge
QG
ID = 20 A, VDD = 24 V, VGS = 10 V
20
nC
Gate to Source Charge
QGS
3.5
nC
Gate to Drain Charge
QGD
6.5
nC
Body Diode forward Voltage
VF(S-D)
IF = 20 A, VGS = 0 V
0.8
V
Reverse Recovery Time
trr
IF = 20 A, VGS = 0 V
35
ns
Reverse Recovery Charge
Qrr
di/dt = 100 A/
s30
nC
TEST CIRCUIT 2 GATE CHARGE
TEST CIRCUIT 1 SWITCHING TIME
PG.
RG
0
VGS
D.U.T.
RL
VDD
τ = 1 s
Duty Cycle
≤ 1 %
VGS
Wave Form
ID
Wave Form
VGS
10 %
90 %
VGS(on)
10 %
0
ID
90 %
td(on)
tr
td(off)
tf
10 %
τ
ID
0
ton
toff
PG.
50
D.U.T.
RL
VDD
IG = 2 mA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5617-EB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5617 | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5617-FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5617-FB-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5617-T3-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC562 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC562200VLA | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR |
| 2SC562200VLK | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC563200L | 功能描述:TRANS NPN 8VCEO 50MA S-MINI 3P RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数（dB典型值@频率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD，扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR |
| 2SC5632G0L | 功能描述:TRANS NPN 8VCEO 50MA SMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数（dB典型值@频率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD，扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。