- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录30570 > 2SC5616-EB L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SC5616-EB |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | MINIMOLD PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 126K |
| 代理商： | 2SC5616-EB |
Data Sheet D12355EJ3V0DS
5
2SK2981
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
Tch - Channel Temperature - C
R
DS(on)
-
Drain
to
Source
On-state
Resistance
-
m
0
50
20
0
50
100
150
ID = 10 A
40
80
60
10 V
4.5 V
VGS = 4 V
1.0
ISD
-
Diode
Forward
Current
-
A
0
1.5
VSD - Source to Drain Voltage - V
0.5
Pulsed
VGS = 10 V
SOURCE TO DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
0.1
1
10
100
0 V
CAPACITANCE vs. DRAIN TO
SOURCE VOLTAGE
VDS - Drain to Source Voltage - V
C
iss
,C
oss
,C
rss
-
Capacitance
-
pF
10
0.1
100
1000
10000
1
10
100
VGS = 0 V
f = 1 MHz
Coss
Crss
Ciss
SWITCHING CHARACTERISTICS
ID - Drain Current - A
td(on)
,t
r,
t
d(off)
,t
f-
Switching
Time
-
ns
1
0.1
10
100
1000
1
10
100
VDD = 15 V
VGS = 10 V
RG = 10
tf
tr
td(on)
td(off)
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DRAIN CURRENT
IF - Drain Current - A
trr
-
Reverse
Recovery
Time
-
ns
di/dt = 100 A/
s
VGS = 0 V
1
0.1
10
1
10
100
1000
100
V
GS
-
Gate
to
Source
Voltage
-
V
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
QG - Gate Charge - nC
V
DS
-
Drain
to
Source
Voltage
-
V
0
912
24
3
10
20
30
40
2
4
6
8
0
VDD = 24 V
15 V
6 V
VDS
12
14
10
ID = 20 A
VGS = 10 V
VGS
6
15
18
21
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5617-EB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5617 | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5617-FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5617-FB-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5617-T3-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC562 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC562200VLA | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR |
| 2SC562200VLK | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC563200L | 功能描述:TRANS NPN 8VCEO 50MA S-MINI 3P RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数（dB典型值@频率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD，扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR |
| 2SC5632G0L | 功能描述:TRANS NPN 8VCEO 50MA SMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数（dB典型值@频率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD，扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。