收藏本站
参数资料
型号： 2SC5616-EB
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装： MINIMOLD PACKAGE-3
文件页数： 6/10页
文件大小： 126K
代理商： 2SC5616-EB
Data Sheet D12355EJ3V0DS
3
2SK2981
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C)
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
TC - Case Temperature - C
dT
-
Percentage
of
Rated
Power
-
%
0
20
40
60
80
100
120
140
160
20
40
60
80
100
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
TC - Case Temperature - C
P
T
-
Total
Power
Dissipation
-
W
0
20
40
60
80
100
120
140
160
35
30
25
20
15
10
5
TC = 25C
Single Pulse
ID(DC)=20 A
ID(PULSE)=80 A
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
VDS - Drain to Source Voltage - V
ID
-
Drain
Current
-
A
1
0.1
10
100
1000
1
10
100
Power
Dissipation
Limited
RDS(on)
Limited
(at
V
GS
=10
V)
PW
= 500
s
PW
= 1
ms
PW
= 10
ms
PW
= 100
ms
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
VDS - Drain to Source Voltage - V
ID
-
Drain
Current
-
A
0
2
3
4
60
100
1
Pulsed
VGS =10 V
20
4.5 V
4 V
40
80
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
VGS - Gate to Source Voltage - V
ID
-
Drain
Current
-
A
1
10
100
1000
Pulsed
02
4
TA =
25C
75C
125C
68
!
相关PDF资料
PDF描述
2SC5617-EB L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5617 L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5617-FB L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5617-FB-A L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5617-T3-A L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
2SC562 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SC562200VLA 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR
2SC562200VLK 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SC563200L 功能描述:TRANS NPN 8VCEO 50MA S-MINI 3P RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数（dB典型值@频率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD，扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR
2SC5632G0L 功能描述:TRANS NPN 8VCEO 50MA SMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数（dB典型值@频率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD，扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*