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参数资料
| 型号： | 2SC5617-EB-A |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 103K |
| 代理商： | 2SC5617-EB-A |
Data Sheet D15068EJ3V0DS
3
2SK3483
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
dT
-
Percentage
of
Rated
Power
-
%
0
20
40
60
80
10 0
12 0
0
25
50
7 5
100 125 150 175
P
T
-
Total
Power
Di
s
ip
ation
-
W
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
0
25
50
75
100 125 150 175
TC - Case Temperature -
°C
TC - Case Temperature -
°C
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
ID
-
Drain
Current
-
A
10
1
0.1
100
0.1
1000
1
10
100
TC = 25C
Single Pulse
1000
R
DS(on)
Limited
(at
V
GS
=
10
V)
ID(pulse) = 60 A
ID(DC) = 28 A
Po
w
er
Dissipation
Limited
DC
PW
=
10
μs
100
μs
1
ms
10
ms
VDS - Drain to Source Voltage - V
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
rth(t)
-
Transient
Thermal
Resistance
-
°C/W
10
0.01
0.1
1
100
1000
1 m
10 m
100 m
1
10
100
1000
Single Pulse
10
μ
100
μ
Channel to Ambient
Channel to Case
Rth(ch-A) = 125C/W
Rth(ch-C) = 3.13C/W
PW - Pulse Width - s
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5617-T3EB-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5629 | RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5629 | RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5632G | 50 mA, 8 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5646 | S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC562 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC562200VLA | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR |
| 2SC562200VLK | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC563200L | 功能描述:TRANS NPN 8VCEO 50MA S-MINI 3P RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数（dB典型值@频率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD，扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR |
| 2SC5632G0L | 功能描述:TRANS NPN 8VCEO 50MA SMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数（dB典型值@频率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD，扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR |
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