- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录30571 > 2SC5617-EB-A L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SC5617-EB-A |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 103K |
| 代理商： | 2SC5617-EB-A |
2SK2679
2004-07-06
5
=
DD
VDSS
AS
V
B
I
L
2
1
E
2
RG = 25
VDD = 90 V, L = 12 mH
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5617-T3EB-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5629 | RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5629 | RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5632G | 50 mA, 8 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5646 | S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC562 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC562200VLA | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR |
| 2SC562200VLK | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC563200L | 功能描述:TRANS NPN 8VCEO 50MA S-MINI 3P RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数（dB典型值@频率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD，扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR |
| 2SC5632G0L | 功能描述:TRANS NPN 8VCEO 50MA SMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数（dB典型值@频率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD，扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。