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参数资料
| 型号： | 2SC5710TP-FA |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 9000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 37K |
| 代理商： | 2SC5710TP-FA |
2SA2044 / 2SC5710
No.6915-2/5
Specifications
( ) : 2SA2044
Absolute Maximum Ratings at Ta=25
°C
Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
Collector-to-Base Voltage
VCBO
(--30)40
V
Collector-to-Emitter Voltage
VCEO
(--)30
V
Emitter-to-Base Voltage
VEBO
(--)6
V
Collector Current
IC
(--)9
A
Collector Current (Pulse)
ICP
(--)12
A
Base Current
IB
(--)1.2
A
Collector Dissipation
PC
1W
Tc=25
°C15
W
Junction Temperature
Tj
150
°C
Storage Temperature
Tstg
--55 to +150
°C
Electrical Characteristics at Ta=25
°C
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB=(--)30V, IE=0
(--)0.1
A
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB=(--)4V, IC=0
(--)0.1
A
DC Current Gain
hFE
VCE=(--)2V, IC=(--)500mA
200
560
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=(--)10V, IC=(--)500mA
(290)320
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=(--)10V, f=1MHz
(52)40
pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=(--)4A, IB=(--)200mA
(--200)180
(--340)270
mV
IC=(--)2.5A, IB=(--)50mA
(--170)130
(--290)195
mV
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=(--)2.5A, IB=(--)50mA
(--)0.85
(--)1.2
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)10A, IE=0
(--30)40
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)1mA, RBE=∞
(--)30
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)10A, IC=0
(--)6
V
Turn-On Time
ton
See specified test circuit.
30
ns
Storage Time
tstg
See specified test circuit.
(190)320
ns
Fall Time
tf
See specified test circuit.
15
ns
Swicthing Time Test Circuit
VR
RB
VCC=12V
VBE= --5V
+
50
INPUT
OUTPUT
RL
100
F
470
F
PW=20
s
IB1
D.C.
≤1%
IB2
IC=20IB1= --20IB2=2.5A
For PNP, the polarity is reversed.
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PDF描述 |
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