- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录30571 > 2SC5710TP-FA 9000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SC5710TP-FA |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 9000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 37K |
| 代理商： | 2SC5710TP-FA |
2SA2044 / 2SC5710
No.6915-3/5
--8
--6
--7
--4
--5
--2
--3
--1
0
--0.4
0
--0.8
--1.2
--1.6
--2.0
IC -- VCE
--10mA
--20mA
--30mA
--40mA
--50mA
--60mA
--70mA
--80mA
--90mA
--100mA
IB=0
IT00188
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
IC -- VBE
2SC5710
VCE=2V
T
a=75
°C
25
°C
--25
°C
IT00191
T
a=75
°C
25
°C
--25
°C
2SA2044
VCE= --2V
--8
--7
--6
--5
--4
--2
--1
--3
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.4
--1.0
--1.2
IC -- VBE
IT00190
8
7
6
5
4
2
3
1
0.4
0
0.8
1.2
1.6
2.0
0
IC -- VCE
IB=0
10mA
20mA
30mA
40mA
50mA
100mA
60mA
70mA
80mA
90mA
IT00189
2SA2044
2SC5710
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector
Current,
I
C
-
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
1000
100
2
3
5
7
2
3
5
7
10
2
3
5
7
1.0
0.01
0.1
23
5
7
2
3
5 7
23
5
7
1.0
10
VCE(sat) -- IC
Ta=75
°C
25
°C
--25
°C
IT00196
2SC5710
IC / IB=20
--1000
--100
2
3
5
7
2
3
5
7
--10
2
3
5
7
--1.0
--0.01
--0.1
23
5
7
2
3
5 7
23
5
7
--1.0
--10
VCE(sat) -- IC
Ta=75
°C
25
°C
--25
°C
IT00194
2SA2044
IC / IB=20
Ta=75
°C
25
°C
--25
°C
1000
100
7
5
3
2
7
5
3
2
10
--0.01
3
25
--10
--0.1
73
25
7
3
25
7
--1.0
hFE -- IC
2SA2044
VCE= --2V
IT00192
1000
100
7
5
3
2
7
5
3
2
10
0.01
3
25
10
0.1
73
25
7
3
25
7
1.0
hFE -- IC
Ta=75
°C
--25
°C
25
°C
2SC5710
VCE=2V
IT00193
Collector Current, IC -- A
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC -- A
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC -- A
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
--
mV
Collector Current, IC -- A
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
--
mV
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5712 | 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5741-FB-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5741-T1FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5741-FB-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5741-FB-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC5712(TE12L,F) | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 100V VCBO 50V VCEO 3A IC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5720(TPE4,F) | 制造商:Toshiba 功能描述:NPN Cut Tape |
| 2SC57250SL | 功能描述:TRAN NPN HF 15VCEO 2.0A MINI 3P RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC5729T106Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5729T106R | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。