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参数资料
| 型号： | 2SC5776 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 8 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | TO-3PMLH, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 31K |
| 代理商： | 2SC5776 |
2SC5776
No.6990-2/4
0
1
IC -- VCE
IT03553
IT03555
IT03554
IT03556
3
2
9
8
7
6
5
4
12
56
34
789
10
0
IC -- VBE
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
6
5
9
7
8
3
4
2
1
1.0
hFE -- IC
23
5
7
2
3
5
7
0.1
1.0
10
2
3
5
2
3
5
7
0.1
VCE(sat) -- IC
23
5
7
2
3
5
7
1.0
10
0.1
1.0
2
3
5
7
2
3
5
7
5
7
IB=0
0.1A
0.2A
0.4A
0.6A
1.0A
2.0A
1.8A
1.6A
1.4A
1.2A
0.8A
T
a=120
°C
25
°C
--40
°C
VCE=5V
Ta=120
°C
25°
C
--40
°C
VCE=5V
Ta=
--40
°C
25
°C
T
a=
-
-40
°C
120
°C
25°
C
IC / IB=5
120
°C
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
--
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
--
A
Collector Current, IC -- A
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC -- A
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
V
Continued from preceding page.
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
DC Current Gain
hFE1VCE=5V, IC=1A
8
hFE2VCE=5V, IC=4.5A
4
7
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=4A, IB=1A
3.0
V
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=4A, IB=1A
1.5
V
Storage Time
tstg
IC=3A, IB1=0.5A, IB2=--1.5A
3.0
s
Fall Time
tf
IC=3A, IB1=0.5A, IB2=--1.5A
0.2
s
Diode Forward Voltage
VF
IEC=6.5A
2.2
V
Switching Time Test Circuit
VR
RB
VCC=200V
VBE= --5V
+
50
INPUT
OUTPUT
RL=66.7
100
F
470
F
PW=20
s
IB1
D.C.
≤1%
IB2
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