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参数资料
| 型号： | 2SC6042 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 375 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | LEAD FREE, 2-7D101A, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 214K |
| 代理商： | 2SC6042 |
2SC6042
2006-11-13
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type
2SC6042
High-Speed, High-Voltage Switching Applications
Switching Regulator Applications
DC-DC Converter Applications
High-speed switching: tf = 0.2 s (max) (IC = 0.3A)
High breakdown voltage: VCES = 800 V, VCEO = 375 V
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
800
V
VCES
800
V
Collector-emitter voltage
VCEO
375
V
Emitter-base voltage
VEBO
8
V
DC
IC
1.0
Collector current
Pulse
ICP
2.0
A
Base current
IB
0.5
A
Collector power
dissipation
Ta = 25°C
PC
1.0
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum
ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report
and estimated failure rate, etc).
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-7D101A
Weight: 0.2 g (typ.)
Base
Collector
Emitter
1.
2.
3.
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PDF描述 |
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