参数资料
型号: 2SC5787
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: M13, 3 PIN
文件页数: 2/8页
文件大小: 57K
代理商: 2SC5787
Notes:
1. Operation in excess of any one of these parameters may result
in permanent damage.
2. With device mounted on 1.08 cm2 X 1.0 mm glass epoxy board.
SYMBOLS
PARAMETERS
UNITS
RATINGS
VCBO
Collector to Base Voltage
V
9
VCEO
Collector to Emitter Voltage
V
3.0
VEBO
Emitter to Base Voltage
V
1.5
IC
Collector Current
mA
35
PT2
Total Power Dissipation
mW
105
TJ
Junction Temperature
°C
150
TSTG
Storage Temperature
°C
-65 to +150
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS1 (TA = 25°C)
Ambient Temperature, TA (
°C)
Total
Power
Dissipation,
P
tot
(mW)
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (TA = 25°C)
Collector to Base Voltage, VCB (V)
Reverse
Transfer
Capacitance,
C
re
(pF)
REVERSE TRANSFR CAPACITANCE vs.
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
150
125
100
75
50
25
0
105
Mounted on Glass epoxy PCB
(1.08 cm
2 x 1.0 mm (t) )
0
25
50
75
100
125
150
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0246810
f = 1 MHz
NE894M13
VCE = 1 V
100
10
1
0.1
0.001
0.0001
0.01
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
Base to Emitter Voltage, VBE (V)
Collector
Current,
I
C
(mA)
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
40
30
20
10
0
012345
500
A
150
A
200
A
250
A
300
A
350
A
400
A
450
A
100
A
IB = 500
A
Collector
Current,
I
C
(mA)
COLLECTOR CURRENT vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Collector to Emitter Voltage, VCE (V)
相关PDF资料
PDF描述
2SC5800-T1FB-A L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5800-T1FB-A L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5801 S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5808TP 2500 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5808TP-FA 2500 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
2SC57880PA 功能描述:TRANS NPN PWR AMP 60VCEO 3A MT-4 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SC57880QA 功能描述:TRANS NPN PWR AMP 60VCEO 3A MT-4 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5793-YD 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
2SC5808-TL-E 制造商:SANYO 功能描述:NPN 400V 2.5A 20 to 50 TP-FA Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR NPN 700V 2.5A TO-251 制造商:Sanyo 功能描述:0
2SC5810(TE12L,F) 功能描述:MOSFET Power Trans 100V 0.17V Vce 85ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube