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参数资料
| 型号： | 2SC5791 |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 10 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | TO-3PMLH, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 33K |
| 代理商： | 2SC5791 |
2SC5791
No.6993-2/4
0
1
IC -- VCE
IT03543
IT03545
IT03544
IT03546
3
2
10
9
8
7
6
5
4
12
56
34
789
10
0
IC -- VBE
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
6
4
10
8
2
7
5
9
3
1
1.0
hFE -- IC
2
3
57
2
3
57
0.1
1.0
10
2
3
5
100
7
2
3
5
7
0.1
VCE(sat) -- IC
23
5
7
23
5
7
1.0
10
0.01
10
0.1
1.0
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
IB=0
0.2A
0.1A
0.4A
0.6A
0.8A
1.2A
1.6A
2.0A
1.0A
1.8A
1.4A
T
a=120
°C
25
°C
--40
°C
Ta=120
°C
25
°C
--40°C
120
°C
VCE=5V
IC / IB=5
Ta=25
°C
--40
°C
25
°C
T
a=
-
-40
°C
120
°C
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
--
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
--
A
Collector Current, IC -- A
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC -- A
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
V
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Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
DC Current Gain
hFE1VCE=5V, IC=1A
10
hFE2VCE=5V, IC=7A
4
7
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=6.3A, IB=1.6A
3
V
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=6.3A, IB=1.6A
1.5
V
Storage Time
tstg
IC=5A, IB1=0.8A, IB2=--2.5A
3.0
s
Fall Time
tf
IC=5A, IB1=0.8A, IB2=--2.5A
0.2
s
Switching Time Test Circuit
VR
RB
VCC=200V
VBE= --5V
+
50
INPUT
OUTPUT
RL=40
100
F
470
F
PW=20
s
IB1
D.C.
≤1%
IB2
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