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参数资料
| 型号： | 2SC5827 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | MFPAK-3 |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 95K |
| 代理商： | 2SC5827 |
2SC5827
Rev.0, Nov. 2001, page 2 of 10
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25
°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
15
V
Collector to emitter voltage
V
CEO
5.5
V
Emitter to base voltage
V
EBO
1.5
V
Collector current
I
C
80
mA
Collector power dissipation
Pc
80
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
55 to +150
°C
Electrical Characteristics
(Ta = 25
°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base breakdown
voltage
V
(BR)CBO
15
VI
C = 10 A, IE = 0
Collector cutoff current
I
CBO
0.1
AV
CB = 15 V, IE = 0
Collector cutoff current
I
CEO
1
AV
CE = 5.5 V, RBE = Infinite
Emitter cutoff current
I
EBO
0.1
AV
EB = 1.5 V, IC = 0
DC current transfer ratio
h
FE
100
120
150
V
CE = 1 V, IC = 5 mA
Collector output capacitance
C
ob
0.85
1.15
pF
V
CB = 1 V, IE = 0, f = 1 MHz
Gain bandwidth product
f
T
1.5
4.5
GHz
V
CE = 1 V, IC = 5 mA
Power gain
PG
10.5
13.5
dB
V
CE = 1 V, IC = 5 mA,
f = 900 MHz
Noise figure
NF
1.1
1.8
dB
V
CE = 1 V, IC = 5 mA,
f = 900 MHz
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PDF描述 |
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| 2SC584600L | 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 100MA SSSMINI3P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
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