| 型号: | 2SC5832 |
| 元件分类: | 小信号晶体管 |
| 英文描述: | 2000 mA, 55 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装: | TP, 3 PIN |
| 文件页数: | 1/4页 |
| 文件大小: | 36K |
| 代理商: | 2SC5832 |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5843-FB | L BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5843-T3FB-A | L BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5843-FB-A | L BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5849WY-TR-E | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5850LBTL-E | 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC5832-TL-E | 制造商:SANYO 功能描述:NPN 55V 2A 1000 TP-FA Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANS DARL NPN 55V 55A TO-251 制造商:Sanyo 功能描述:0 |
| 2SC5842001KT | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC584500L | 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 100MA MINI-3P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC584600L | 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 100MA SSSMINI3P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC5846G0L | 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 100MA SSSMINI3P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |