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参数资料
| 型号： | 2SC5832 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 55 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | TP, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 36K |
| 代理商： | 2SC5832 |
2SC5832
No.7287-2/4
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta=25
°C
Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
Collector-to-Base Voltage
VCBO
On-chip zener diode(65
±10V)
55
V
Collector-to-Emitter Voltage
VCEO
On-chip zener diode(65
±10V)
55
V
Emitter-to-Base Voltage
VEBO
6V
Collector Current
IC
2A
Collector Current (Pulse)
ICP
4A
Collector Dissipation
PC
1.0
W
Tc=25
°C10
W
Junction Temperature
Tj
150
°C
Storage Temperature
Tstg
55 to +150
°C
Electrical Characteristics at Ta=25
°C
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB=40V, IE=0
10
A
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB=5V, IC=0
2
mA
DC Current Gain
hFE
VCE=5V, IC=1A
1000
4000
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=5V, IC=1A
180
MHz
Inductive Load
Es / b
L=100mH, RBE=100
25
mJ
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=1A, IB=4mA
1.0
1.5
V
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=1A, IB=4mA
2.0
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=100A, IE=0
55
65
75
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=1mA, RBE=∞
55
65
75
V
Turn-ON Time
ton
See specified Test Circuit.
0.2
s
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
3.5
s
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
0.5
s
Switching Time Test Circuit
Es / b Test Circuit
VBB= --5V
VCC=20V
+VCC
INPUT
OUTPUT
100
F
470
F
50
RB
RL
20
VR
IC=250A, IB1= --250A, IB2=1A
PW=50
s, Duty Cycle≤1%
IB1= --IB2=4mA
TUT
RBE
IB
VCC=20V, RBE=100
TUT
L
300
10k
++
SW
2.0
1.6
0.4
0.8
1.2
0
01
3
24
5
IC -- VCE
IB=0
150
A
200A
250
A
300
A
1000
A
1500
A
2000
A
350
A
400
A
450
A
500
A
ITR06005
2.4
1.6
2.0
1.2
0.8
0.4
0
0.4
0.8
1.2
2.8
2.0
2.4
1.6
IC -- VBE
ITR06006
T
a=120
°C
25
°C
--40
°C
VCE=5V
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
--
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
--
A
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